技術領域

本發(fā)明涉及半導體領域，具體地，涉及一種硅基平面型三極管器件的制造方法和器件，來實現(xiàn)在低磁場下獲得大的磁電阻效應。

背景技術

過去的50年里，世界半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一直遵循著著名的摩爾定律,即每隔18到24個月芯片上晶體管數(shù)目就增加一倍。但由于物理體積的限制，按照摩爾定律的預期，半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展在未來十年內(nèi)將接近極限，傳統(tǒng)晶體管電路的性能無法再進一步提升。如何讓半導體器件超越摩爾定律的限制已經(jīng)成為當今半導體產(chǎn)業(yè)亟待解決的一個重要問題。

實現(xiàn)半導體器件的磁調(diào)控不僅賦予了傳統(tǒng)半導體器件新的功能，而且在信息技術上具有廣泛的應用前景。目前半導體器件的磁調(diào)控主要可以分為以下兩個方面：一是利用磁場來操控半導體內(nèi)電子的自旋。通過磁性材料與半導體器件的結合，來實現(xiàn)半導體中自旋的注入、傳輸、調(diào)控和探測。但是，目前磁性材料的引入仍然無法與現(xiàn)有的半導體工業(yè)緊密結合，同時低的自旋注入效率更使得半導體產(chǎn)業(yè)的自旋調(diào)控任重而道遠。另一個重要的方面則是避免磁性材料的使用，直接利用磁場來調(diào)控半導體中電荷的輸運行為。雖然利用洛侖茲力可以實現(xiàn)磁場對半導體器件輸運性質(zhì)的調(diào)控，但是由于其通常被霍爾電場所抵消，與磁性材料相比，在半導體材料中實現(xiàn)磁操控要困難得多。

目前人們陸續(xù)在從窄帶半導體（Ag2Te，InSb等）到傳統(tǒng)半導體(Si，Ge等)都報道了遠大于目前磁性材料的大磁阻效應，但不難看出本質(zhì)上人們都是利用洛侖茲力對電荷的操控，因此所需要的工作磁場通常很高，為幾個甚至十幾特斯拉才能獲得可觀的效應。如何降低工作磁場，并進一步探索新的半導體調(diào)控機理是目前半導體磁場調(diào)控的關鍵。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于，針對上述問題，提出一種硅基平面型三極管器件的制造方法，以實現(xiàn)低磁場下獲得高的磁電阻效應的優(yōu)點。

技術負責人： 隋文波 物理科學與技術學院